GALLIY ERITMA-SUYUQLANMASIDAN SUYUQ FAZA EPITAKSIYASI USULIDA O‘STIRILGAN Si1–xGex/Si GETEROSTRUKTURALARINING SPEKTRAL FOTOSEZGIRLIGI VA ELEKTROFIZIK XOSSALARI

Authors

  • Razzoqov Alijon Author
  • Bozorboyev Murodjon Author

Keywords:

Kalit so‘zlar: Si1–xGex qattiq eritma, suyuq faza epitaksiyasi, galliy erituvchi, geterostruktura, spektral fotosezgirlik, Xoll effekti.

Abstract

Ushbu ishda galliy (Ga) erituvchisidan suyuq faza epitaksiyasi (LPE) usulida n-Si(111) tagliklarida o‘stirilgan Si1–xGex (x = 0,05–0,25) qattiq eritmali qatlamlarning elektrofizik va fotoelektrik xossalari tadqiq qilingan. Xoll harakatchanligining temperatura bog‘liqligi, fotosezgirlik spektrlari va volt-amper xarakteristikalari (VAX) o‘rganilgan. Germaniy ulushi 0,05 dan 0,25 gacha ortishi bilan fotosezgirlikning uzun to‘lqinli chegarasi 1,13 mkm dan 1,22 mkm gacha siljishi aniqlangan.

References

Downloads

Published

2026-10-07

Issue

Vol. 11 No. 3 (2026): ILMIY TADQIQOTLAR VA YANGI OLAM

Section

Articles